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苏格另辟蹊径!硅基半导体也可以用于发光器件
    然而,出射光的光谱特性与计算结果非常一致。

    翻译/未来经济学家应用信息组

    并在此过程中发射光子。

    本研究采用硅基量子级联激光器(QCL)理论。研究人员发现了基于硅锗的半导体结构的电致发光,斯塔克和他的同事从这些异质结构中检测到电致发光——,

    砷化镓半导体可以用来制造激光器,该器件的高度小于100纳米,

    该研究发表于《AIP应用物理快报》年3月8日,在一51漫韩漫人画项苏格新的研究中,

    该团队设计并制造了一种由硅锗和纯锗组成的单元结构器件。通讯人是苏黎世联邦理工学院物理系量子电子研究所的大卫斯塔克。重复频率为51次。而是让电子穿过精确设计的叠层半导体结构,QCL实现光发射,题目为“n型Ge/SiGe量子级联结构的THz子带间电致发光编辑-pick”,